第3代半导体爆发期将至？中国有望弯道超车？
文章导读：羞羞网站在线看羞羞视频在线播放机引用界面新闻有关内容，与前两代半导体材料相比，第3代半导体材料现阶段仍在发展的前期。中国企业和国外企业之间的发展差距不大，有望实现弯道超车。
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有半导体新材料领域人士表示，三代半导体材料在中国拥有巨大的应用前景，且在国产化和产业升级的推动下，相关产业链将逐步完善，呈现自主可控化发展态势，从而迎来下一个产业爆发增长期。
据羞羞网站在线看羞羞视频在线播放机了解，第1半导体材料以硅、锗元素等单质为主；第2代则以砷化镓、磷化镓等材料为主，而第3代半导体主要以碳化硅、氮化镓等材料为主，具备更好的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，因而第3代半导体材料更加适合应用于新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等方向。
羞羞网站在线看羞羞视频在线播放机分析，从出台的新能源汽车行业的政策发展规划来看，新能源汽车行业将稳步发展，随之而来就是新能源汽车和充电桩设备对碳化硅的巨大需求。此外，外部环境的变化中，国内半导体材料的产业链布局加快，国内相关企业的战略合作将不断深化，有利于提升在国内外的产品力竞争优势，有望实现在该领域内的超车。
就像《中国制造2025》中所提及的，第3代半导体材料还是“十四五”期间重要的发展方向。未来的5年必定是新材料大变革、大发展的5年，从近期市场的反应来看，国内第3代半导体的热度逐渐攀升并高居不下。
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